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SI4416DY-T1中文资料

SI4416DY-T1图片

SI4416DY-T1外观图

  • 大小：236.27KB
  • 厂家：VISAY
  • 描述：Vishay Siliconix [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：6.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.4 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：34 ns

SI4416DY-T1供应商

更新时间:2023-01-14 12:04:24
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